SIHF30N60E-GE3
Vishay Siliconix
Deutsch
Artikelnummer: | SIHF30N60E-GE3 |
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Hersteller / Marke: | Vishay / Siliconix |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 600V 29A TO220 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $6.12 |
10+ | $5.498 |
100+ | $4.5045 |
500+ | $3.8346 |
1000+ | $3.234 |
2000+ | $3.0723 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±30V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Serie | E |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125mOhm @ 15A, 10V |
Verlustleistung (max) | 37W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 Full Pack |
Paket | Tube |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2600 pF @ 100 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 130 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 29A (Tc) |
Grundproduktnummer | SIHF30 |
SIHF30N60E-GE3 Einzelheiten PDF [English] | SIHF30N60E-GE3 PDF - EN.pdf |
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2024/06/6
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2023/12/20
![]() SIHF30N60E-GE3Vishay Siliconix |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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